Работа в видеочате Работать в видеочате может кто угодно. Для этого нужно быть обязательно старше 18 лет. Карьеру модели видеочата может сделать любая девушка, молодой человек или даже пара.
ЛЕКЦИОННЫЕ
ЗАНЯТИЯ
ВВЕДЕНИЕ
-
Роль поверхности и границ раздела в
современной технологии и физике неорганических материалов
-
Краткий исторический обзор развития
физики поверхности и тонких пленок.
-
Взаимосвязь современной физики поверхности
и границ раздела с другими областями физики, техники и технологии.
РАЗДЕЛ 1: Полупроводниковые
сверхрешетки и магнитные мультислои
-
Теоретический, экспериментальный и прикладной
интерес к многослойным структурам полупроводников и магнитных материалов.
-
Композиционные и легированные полупроводниковые
сверхрешетки. Расположение краев зоны проводимости и валентной зоны в сверхрешетках
различных типов.
-
Энергетическая структура и электронный
спектр сверхрешетки; расщепление энергетической зоны кристалла на минизоны
потенциалом сверхрешетки.
-
Низкоразмерные и квантовомеханические
эффекты в полупроводниковых структурах.
-
Магнитные мультислои, их структура и
физические свойства; схема единичной ячейки простой магнитной сверхрешетки;
особенности статических магнитных свойств и коллективных возбуждений в
магнитных сверхрешетках.
-
Гигантское магнетосопротивление в магнитных
мультислоях; отличие гигантского магнетосопротивления от классического
магниторезистивного эффекта; физический механизм явления на основе спин-зависимого
рассеяния электронов на границах раздела магнитных мультислоев.
-
Примеры использования физических явлений
в полупроводниковых сверхрешетках и магнитных мультислоях в технических
устройствах.
РАЗДЕЛ 2: Структура
и морфология поверхности и границ раздела
-
Симметрия поверхности. Подложка, кромка,
адсорбат. Двумерные решетки Браве.
-
Релаксация, реконструкция и дефекты
поверхности.
-
Описание структур верхних слоев. Матричный
способ обозначений структур верхних атомных слоев. Обозначения Вуда.
-
Обратная двумерная решетка. Стержни
обратной решетки. Обратная решетка и дифракция электронов. Построение Эвальда
для двумерной дифракции.
-
Структурные модели границ раздела твердое
тело - твердое тело. Различные типы границ раздела. Гетерофазные границы.
РАЗДЕЛ 3: Технология
сверхрешеточных структур и границ раздела
-
Краткий сравнительный обзор наиболее
распространненых технологий - молекулярно-лучевой эпитаксии, рост из газовой
фазы с использованием металлорганических соединений, жидкостная эпитаксия.
-
Зародышеобразование и рост тонких пленок.
Поверхностные процессы, происходящие при выращивании тонкой пленки (поверхностная
диффузия, взаимодиффузия, встраивание в решетку, поверхностная аггрегация).
-
Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ)
- самая распространенная технология выращивания тонких пленок, полупроводниковых
и магнитных сверхрешеток; особенности и преимущества метода МЛЭ в сравнении
с другими технологиями.
-
Сверхвысокий вакуум, подготовка и очистка
поверхности подложек в МЛЭ.
-
Устройство и принцип работы простейшей
установки МЛЭ; эффузионные ячейки для испарения материалов, осаждаемых
на подложку; наиболее важные зоны технологического процесса - зона генерации
молекулярных пучков, зона смешения испаряемых материалов, зона кристаллизации
на подложке.
-
Типы роста эпитаксиальных структур;
послойный рост (механизм Франка - ван дер Мерве), образование слоя с островками
(рост Странски - Крастанова), Образование островков (рост Вольмера - Вебера),
статистическое осаждение.
-
Возможности анализа эпитаксиальных слоев
в процессе роста (оже-электронная спектроскопия, масс-спектроскопия, дифракция
отраженных быстрых электронов и др.).
-
Современные промышленные автоматизированные
многокамерные комплексы для выращивания эпитаксиальных структур методом
МЛЭ.
РАЗДЕЛ 4: Физические
основы современных методов исследования поверхности и границ раздела.
-
Явление вторичной электронной эмиссии
- основа современной электронной спектроскопии. Спектр вторичных электронов.
Упруго отраженные электроны, неупруго отраженные электроны и истинно вторичные
электроны. Количественные характеристики вторичной электронной эмиссии
(коэффициент вторичной электронной эмиссии, коэффициент упругого отражения
электронов, коэффициент истинно вторичной эмиссии).
-
Зависимость коэффициента вторичной электронной
эмиссии от энергии первичных электронов. Критические энергии или критические
потенциалы. Особенности вторичной электронной эмиссии в металлах, диэлектриках
и полупроводниках.
-
Зависимость коэффициента упругого отражения
электронов от энергии первичных электронов и атомного номера элемента.
-
Упругое отражение электронов вблизи
пороговых энергий элементарных возбуждений электронов твердого тела. Тонкая
структура зависимости коэффициента упругого отражения электронов от энергии
первичных электронов. Объяснение этой структуры на примере спектров и энергетической
диаграммы монокристалла NaCl.
-
Электронные процессы, лежащие в основе
различных методов электронной спектроскопии. Фотоэффект и оже-процесс.
Ионизационные и характеристические потери энергии электронов.
-
Краткие сравнительные характеристики
основных методов исследования поверхности. Методы определения структуры
поверхности (дифракция медленных электронов, дифракция отраженных быстрых
электронов). Методы определения состава поверхности и химического состояния
атомов на поверхности (электронная оже-спектроскопия, рентгеновская фотоэлектронная
спектроскопия, ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия, спектроскопия
характеристических потерь энергии электронов, спектроскопия потенциала
появления, спектроскопия ионизационных потерь).
РАЗДЕЛ 5: Аппаратура
и методы регистрации энергетического распределения вторичных электронов.
-
Анализ энергии вторичных электронов
в электронной спектроскопии (энергоанализаторы задерживающего поля, цилиндрический
зеркальный анализатор).
-
Электронные спектрометры. Блок-схема
простейшего спектрометра. Современные автоматизированные комплексы для
исследования поверхности.
-
Электрическое дифференцирование кривой
распределения вторичных электронов по энергиям. Метод модуляции задерживающего
или отклоняющего потенциала. Влияние амплитуды модуляции на форму и ширину
пиков.
-
Комплексное исследование вторично-эмиссионных
свойств поверхности твердого тела методами электронной спектроскопии. Блок-схема
комплекса аппаратуры. Коммутация режимов работы для реализации различных
методов (электронная оже-спектроскопия, дифракция медленных электронов,
спектроскопия характеристических потерь энергии электронов, спектроскопия
потенциалов исчезновения, спектроскопия пороговых потенциалов, ионизационная
спектроскопия).
РАЗДЕЛ 6:
Применение методов электронной спектроскопии в исследовании поверхности и границ раздела.
-
Количественный анализ в методе электронной
оже-спектроскопии. Факторы, влияющие на интенсивность оже-пика. Метод коэффициентов
элементной чувствительности. Применение электронной оже-спектроскопии для
изучения механизмов роста пленок при МЛЭ. Послойный анализ тонких пленок.
-
Спектроскопия характеристических потерь
энергии электронов. Природа характеристических потерь энергии электронов.
Плазменные колебания. Вывод формулы для энергии объемных плазмонов в твердом
теле. Объемные и поверхностные плазмоны. Спектроскопия характеристических
потерь энергии электронов высокого разрешения.
-
Дифракция медленных электронов. Поверхностная
чувствительность метода. Схема эксперимента. Дифракционная картина - проекция
обратной двумерной решетки на плоскость экрана.
-
Дифракция отраженных быстрых электронов
(ДОБЭ). Геометрия эксперимента. Преимущества метода для контроля процесса
роста пленки непосредственно в камере установки МЛЭ. Поверхностная чувствительность
метода. Определение параметров кристаллической решетки из дифракционной
картины.
Применение ДОБЭ для исследования
микроморфологии поверхности и послойного роста пленок в процессе МЛЭ. Влияние
дефектов поверхности на дифракционную картину в методе МЛЭ. Осцилляции
интенсивности зеркального рефлекса при двумерно-слоевом росте пленок в
процессе МЛЭ. Экспериментальные методы регистрации осцилляций.